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PERTOP高效電池管式PECVD設備
核心技術(shu)
非晶硅在高溫晶化時脫膜抑制技術
低粉塵工藝技術
沉積薄膜過程電(dian)場阻抗系統穩態控制技術
大面積(ji)均勻性控制技術
等(deng)離子體(ti)脈(mo)沖氧化法制備超薄氧化硅技術
“氧化(hua)硅+原(yuan)位摻(chan)雜非(fei)晶硅”二合一工藝技(ji)術
相關描述(shu)
金辰股(gu)份與中科院(yuan)寧波材料所展(zhan)開戰略合作，探索出用管式PECVD裝備實現(xian)PERTOP光伏電(dian)池核(he)心(xin)材料“超薄氧化(hua)硅(gui)+原(yuan)位摻雜非晶硅(gui)”的制備，同(tong)時在抑制非晶硅(gui)爆(bao)膜(mo)、防止電(dian)場導通、實現(xian)高效(xiao)電(dian)池全工(gong)藝集成(cheng)等關(guan)鍵技術方(fang)面取得(de)了重大突破，推出了簡化(hua)工(gong)藝流程(cheng)解決方(fang)案(an)。
等離子(zi)體增強型化學氣象沉積(ji)（PECVD）技術
依(yi)靠(kao)等離子電場(chang)硅烷解離，沉膜速率快，摻(chan)雜效率高
定(ding)向沉積，繞鍍輕微，成品率高(gao)
低溫工藝，腐蝕性附(fu)產物少，耗(hao)材成本低
